在(zài)芯片制造方面，由于(yú)華爲(wéi / wèi)和(hé / huò)中芯國(guó)際被列入美國(guó)政府的(de)實體清單（分别是(shì)中國(guó)最先進的(de)芯片設計和(hé / huò)代工），中國(guó)半導體産業受到(dào)了(le／liǎo)不(bù)小的(de)影響。由于(yú)這(zhè)一(yī / yì ／yí)變化，從 2020 年 9 月到(dào) 2021 年 11 月，中國(guó)晶圓制造商在(zài)成熟節點（>=14nm）上(shàng)增加了(le／liǎo)近 50 萬片/月的(de)晶圓（WPM）産能，而(ér)在(zài)先進節點上(shàng)僅增加了(le／liǎo) 1 萬片産能。僅中國(guó)的(de)晶圓産能增長就(jiù)占全球總量的(de) 26% 。2021 年，中國(guó)也(yě)開始了(le／liǎo)國(guó)産移動 19nm DDR4 DRAM 設備和(hé / huò) 64 層 3D NAND 閃存芯片的(de)商業出(chū)貨，并開始了(le／liǎo) 128 層産品嘗試。雖然中國(guó)存儲器行業仍處于(yú)發展初期，但預計中國(guó)存儲器企業在(zài)未來(lái)五年内将實現 40-50% 的(de)年複合增長率并具有很強的(de)競争力。在(zài)後端生産方面，中國(guó)是(shì)外包組裝、封裝和(hé / huò)測試 (OSAT) 的(de)全球領導者，其前三大(dà) OSAT 參與者合計占據全球市場份額的(de) 35% 以(yǐ)上(shàng)。種種迹象表明，中國(guó)半導體芯片銷售的(de)快速增長很可能會持續，這(zhè)在(zài)很大(dà)程度上(shàng)歸功于(yú)政府的(de)堅定承諾以(yǐ)及面對不(bù)斷惡化的(de)美中關系的(de)強有力的(de)政策支持。盡管中國(guó)要(yào / yāo)趕上(shàng)現有的(de)行業領導者還有很長的(de)路要(yào / yāo)走——尤其是(shì)在(zài)先進節點代工生産、設備和(hé / huò)材料方面——但随着北京加強對半導體自力更生的(de)關注，預計未來(lái)十年差距将進一(yī / yì ／yí)步縮小。
